參數(shù)資料
型號(hào)： STD15N06LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 15A條（丁）|至252
文件頁數(shù)： 529/751頁
文件大?。?/td> 5531K
代理商： STD15N06LT4
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Samsung ASIC
4-97
STD150
PvOB1/2/4/8/12_ABB
Analog Normal Output Buffers with Separate Bulk-Bias
Switching Characteristics
(Typical process, 25
°
C, 1.2V, 3.3V, t
R
/t
F
=0.11ns, CL: Capacitive Load[pF])
PHOB8_ABB
PHOB12_ABB
Path
Parameter
Delay [ns]
CL = 50.0pF
4.102
4.100
2.414
2.407
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.248 + 0.077*CL
0.213 + 0.078*CL
0.672 + 0.035*CL
0.516 + 0.038*CL
Group2*
0.239 + 0.077*CL
0.241 + 0.077*CL
0.682 + 0.035*CL
0.530 + 0.038*CL
Group3*
0.240 + 0.077*CL
0.275 + 0.077*CL
0.691 + 0.035*CL
0.554 + 0.037*CL
A to PAD
tR
tF
tPLH
tPHL
*Group1 : CL < 50, *Group2 : 5 =
Path
Parameter
Delay [ns]
CL = 50.0pF
2.820
2.783
1.978
1.864
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.296 + 0.050*CL
0.216 + 0.051*CL
0.801 + 0.024*CL
0.608 + 0.025*CL
Group2*
0.272 + 0.051*CL
0.204 + 0.052*CL
0.816 + 0.023*CL
0.608 + 0.025*CL
Group3*
0.253 + 0.051*CL
0.216 + 0.051*CL
0.824 + 0.023*CL
0.616 + 0.025*CL
A to PAD
tR
tF
tPLH
tPHL
*Group1 : CL < 50, *Group2 : 5 =
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PDF描述
STD15N06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15NF10 N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD15N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD19NE06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
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STD15N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD15NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD15NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
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