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參數(shù)資料
| 型號： | UNR121F(UN121F) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | UNR121F(UN121F) |
4
UNR121x
SJH00003BJD
UNR1211
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
UNR1212
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
000.5 mA
0.0.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25C
C
I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
I
C
(mA)
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
V
CB
(V)
(
)
o
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
O
μ
A
V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 0.8 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.0.6 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR121K(UN121K) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR121L(UN121L) | 12 A Snubberless", logic level and standard triacs |
| UNR1215(UN1215) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1216(UN1216) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1217(UN1217) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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參數(shù)描述 |
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| UNR121L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR121L(UN121L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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